인듐 질산염

특성

화학식: In(NO₃)₃ / 수화물의 경우 In(NO₃)₃·xH₂O
명칭: 인듐(III) 질산염 / 인듐 질산염
CAS 번호: 13770-61-1 (무수물), 207398-97-8 (수화물)
몰 질량: 300.83 g/mol (무수 화합물)
색상: 백색
형태: 결정성 분말 또는 수화된 결정성 응집체
용해도: 물, 에탄올 및 이소프로판올에 잘 용해됨
특성: 강한 흡습성
열분해: 약 240 °C 이상에서 In₂O₃ 생성

인듐(III) 질산염은 물에 용해되는 무기 인듐염입니다. 이 재료는 일반적으로 미세분산된 백색 흡습성 결정성 분말 또는 In(NO₃)₃·xH₂O 형태의 수화 결정으로 공급되며, 여기에는 삼수화물 및 오수화물 형태도 포함됩니다.

인듐 질산염은 물과 에탄올, 이소프로판올을 포함한 극성 유기용매에 대한 용해도가 높습니다. 이를 통해 습식 화학 공정 및 박막 공정을 위한 조성이 정밀하게 제어된 균일 용액을 제조할 수 있습니다.

가열 시 수화 형태는 약 100 °C부터 이미 결정수를 잃기 시작합니다. 약 240 °C를 초과하는 온도에서는 화합물이 분해되어 질소산화물 NOx를 방출하고 인듐(III) 산화물 In₂O₃를 형성합니다.

비교적 낮은 분해 온도 덕분에 인듐 질산염은 기능성 인듐 화합물 및 산화물 박막 제조용 가용성 전구체로 사용됩니다. 이 재료는 Sol-Gel 공정, 분무 열분해, 화학 기상 증착(CVD) 및 기타 용액 기반 합성 방법에 적합합니다.

인듐 질산염의 산업적 제조는 고순도 금속 인듐 또는 인듐(III) 수산화물을 농질산에 용해한 후, 제어된 결정화를 거쳐 이루어집니다.

인듐 질산염은 산화인듐-주석 기반 ITO 및 산화인듐-아연 기반 IZO를 포함한 투명 전도성 산화물 재료의 제조에 사용됩니다. 또한 박막 트랜지스터 및 디스플레이 기술에 사용되는 산화물 반도체 InGaZnO / IGZO용 전구체로도 적용됩니다.

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장점

• 물 및 알코올에 대한 높은 용해도
• 정밀하게 계량된 용액 제조에 적합
• 비교적 낮은 분해 온도
• 열처리에 의해 인듐 산화물 In₂O₃로 전환
• 최대 99.999%(5N)의 고순도 등급 제공 가능
• Sol-Gel 합성에 적합
• 분무 열분해 및 CVD 공정에 적용 가능
• 습식 화학 합성을 위한 범용 전구체

적용 분야

• 박막 및 코팅 기술
• 투명 전도성 ITO 코팅
• 투명 전도성 IZO 코팅
• Sol-Gel 공정
• 분무 열분해
• 화학 기상 증착(CVD)
• 산화물 반도체 InGaZnO / IGZO
• 박막 트랜지스터(TFT)
• 평판 및 플렉시블 디스플레이
• 촉매 담체 함침
• 유기 합성
• 인듐 수산화물 및 인듐 황화물 제조
• 나노입자 및 양자점 합성

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